我们对陶瓷纤维针刺毯中的陶瓷纤维进行了透波性能实验,由于C元素对透波材料是不利的,讨论C含址对SiBN(C)陶瓷纤维的介电性能和介电损耗角正切值的影响是非常必要的。SiBN(C)陶瓷纤维介电性能的测试目前还没有专门的测量方法,主要是由于无法将SiBN(C)陶瓷纤维压成圆片状;同时受限于高频范围的仪器无法得到.仅能测出频率范围为 2-18 GHz的介电性能。 于是我们采用SiBN(C)陶瓷纤维与石蜡混合的方法,利用石蜡作为黏合剂将SiBN(C)陶瓷纤维压成圆片进行测试.主要步骤包括: ① 将 SIHNSiBN(C)陶瓷纤维研磨成粉末,然后将样品与石蜡按质缺比1:4混合,压成既定形状和尺寸,采用同轴环法测量,测量频率范围为 2-18GHz 。勿设置不同的陶瓷化温度及不同的气执环境可以得到不同 C 含最的陶瓷纤维。在高纯 NH3气氛中,陶瓷化温度为 800 ℃ 时,所得纤维的 C 含址为 0.5%;继续升高温度至1600℃ 同时转换为高纯N2,陶瓷纤维的 C 含量为 0.1wt% ;若直接将PBS-Me 初生纤维放置于高纯 N2气氛中,陶瓷化至 1600 ℃ ,陶瓷纤维的 C 含城为9.8swt %。以上实验可以看出陶瓷纤维的高温稳定性。
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